测试芯片设计+DFT,DFM
1. library支持stream out Layout功能,用户可以设置输出的层次; 2. 打开Tools -> Stream Out Layout 界面,用户可自由设置文件名,格式类型,尺寸,
ATC 也支持drop-in gds 或者user-defined 方式导入gds,但是需要提前打好pin label
1. 对于TRSC来说,IP电路有电压反馈补偿机制 2. 对于YPLO/YPSC来说,测精准的电阻采用KLV接法不受电路电阻的影响;测open/short/leak的判断标准也不会受电路电阻的影响
1.Condition通过条件公式控制 PCell、图形、Constraint 或 Operation是否创建,仅在满足公式条件时生效,通常用于 Pcell 兼容不同场景 2.以控制图形创建为例,在
1.Operation是高阶的编辑创建操作,可对选中对象执行自动填充、几何运算和编辑操作,其最大特点是产生的结果与参考的物体之间始终是保持依赖关系 2.以Fill operation填充via为例
1. type表示的是pattern里面的几何特征情况; 2. CE1 CE2中的CE表示corner edge,即在Extent Layer范围内,存在顶点;其中1表示精确匹配,2表示patter
1. 关键面积的定义:关键面积AC(r) 是指版图上所有满足“如果一个半径 ≥ r 的缺陷落进来,就会导致失效”的几何区域之和。 2. 不能用单一尺寸关键面积计算良率的原因:制造过程中产生
1. 进入“批次对比”模块,分别加载批次 A 和批次 B 的测试数据; 2. 选择相同测试项(如 Vt, Idsat); 3. 点击生成箱线图或 CDF 图,系统自动计算均值、方差和良率差异;
软件抽取的信息,都需要绑定到一个图形上,这个我们就认为是seed。用户可以在Locating Command中建立这个关系,同时也支持链式关系,即当一个polygon绑定到seed上之后,再以次以po
假设 wafer上的缺陷是泊松过程: 1. 过程特征: - a. 缺陷事件相互独立。 - b. 任何一个落入关键区域内的缺陷都会导致芯片(die)失效。 2. 推导结果
Use Origin Location:表示Cell放在top的ori_x/y坐标,若应用mirror,rotate,先放置cell,以ori_x/y放置,然后进行旋转镜像操作 At Origin:
1. 进入layoutvision,打开对应的版图,选择DFM->PatternScan->Run Catpure; 2. 选择对应的Capture模式,选择rectangle select,点击N
1. 一颗 via单独连接上下metal时,如果断开会导致上下层open,没有任何容错空间 2. 当某个区域存在多颗via并联时即使部分断开仍能正常工作。因此需要特别关注单个via。 3. 当si
1.若需要选择通过via连接关系进行trace,需预先在Layer Map的Via Layer分页定义连接关系 2.在查看版图界面,点击Utilities-> Check Connection 3
1.通过Alignment功能实现 X/Y 方向对齐,需要定义对齐的距离、偏移量以及需要对齐的层,软件将自动在原有testkey摆放的基础上进行偏移 2. cell指定的对齐层距离坐标原点的距离=n