破局化合物半导体可靠性难题，广立微首台晶圆级老化测试机正式出厂

近日，广立微自主研发的首台专为碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件设计的晶圆级老化测试系统——WLBI B5260M正式出厂。该设备的成功推出，将为产业链提供了高效、精准的晶圆级可靠性筛选解决方案，助推化合物半导体产业的成熟与发展。  ### 晶圆级老化测试至关重要 与传统硅基半导体相比，基于SiC和GaN的功率器件具有高耐压、高频率、高效率等卓越特性，广泛应用于新能源汽车、光伏发电、5G通信等关键领域。  广立微晶圆级老化测试（WLBI）能够在封装前，直接在晶圆上对芯片施加高温、高压应力，加速其老化过程，从而精准筛选出有可靠性隐患的缺陷芯片，大幅降低了后续的封装和测试成本，从源头提升了最终产品的质量和可靠性。 ### 技术创新 性能卓越 广立微B5260M 测试设备是应化合物半导体测试的苛刻需求设计打造的晶圆级老化测试系统，其功能定位精准，技术优势显著： **01高效并行测试：** 可同时支持6片晶圆进行长时间的高温栅极偏压（HTGB）和高温反向偏压（HTRB）测试，大幅提升了测试吞吐量，既能满足小批量验证的研发需求，也能支持大批量生产的效率要求。 **02稳定的测试环境：** 系统具备高精度的温度控制能力，升温快速（9℃/min）且无过冲，晶圆面内温度均匀性小于±1℃，为老化测试提供了稳定、一致的环境，确保了数据的准确性与可比性。  **03强大的电压测试能力：** HTGB测试支持高达±100V的栅压，HTRB测试目前支持2000V的反偏电压，精确测量Vgs(th)、Igss、Idss等关键参数，高效筛选出早期失效的缺陷芯片。 **04精准可靠的硬件平台：** 配备自动上下料机台，精准对位，确保老化的准确性。采用先进的定位技术，确保探针重复扎针精度在20μm以内，有效保护昂贵的晶圆并保证接触可靠性。结合基恩士（Keyence）高精度相机实现的OCR识别方案，晶圆定位识别准确率极高，杜绝了混片风险。 **05智能化软件系统：** 软件支持可视化操作、在线编辑测试Map图、实时监控测试进度，并将测试数据图形化呈现。支持Excel及定制化MAP制作器，使测试流程编辑更便捷，数据分析更直观。   广立微B5260M晶圆级老化测试设备出厂，将助力SiC/GaN芯片设计及制造企业提升测试效率与产品质量控制水平，也将为我国化合物半导体产业的高质量发展提供有力的支撑。